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SUM110P06-08L
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.008 at V GS = - 10 V
- 60
0.0105 at V GS = - 4.5 V
I D (A) d
- 110
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Package with Low Thermal Resistance
? 100 % R g Tested
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
S
TO-263
G
G
D S
Top View
D
Ordering Information: SUM110P06-08L
SUM110P06-08L-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current d
(T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
I DM
- 110
- 75
- 200
A
272
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
d
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C b
I AS
E AS
P D
- 85
211
c
3.75 b
mJ
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
PCB Mount
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
d
R thJA
R thJC
40
0.55
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. See SOA curve for voltage derating.
d. Limited by Package.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 73045
S-80273-Rev. B, 11-Feb-08
www.vishay.com
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